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D램 반도체 대체 비파괴 판독형 TR 개발 D램 반도체소자를 대체할 비파괴 판독형 불휘발성 트랜지스터가 국내 연구진에 의해 개발됐다.한국과학기술연구원(KIST) 김용태박사팀은 지난 3년동안 1억원의 연구비를 들여 지금까지 알려진소자보다 성능이 훨씬 뛰어난 비파괴 판독형 불휘발성 트랜지스터개발에 성공했다.이 소자는 한개의 트랜지스터만으로도 초고집적 불휘발성 기억소자의 단위 소자로 사용이 가능해구조가 매우 간단하고 기억재생의 동작없이 정보를 1백억번 이상 반복해 읽고 쓸수가 있다.